牌号 | HfO2 | 产地 | 宝鸡 |
铪含量≥ | 99.99 | 杂质含量 | 0.001 |
重量 | 5 |
IUPAC 名称:dioxohafnium元素含量比重:O (oxygen) 15.2% 、Hf (hafnium) 84.8%二氧化铪 分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2850℃摩尔质量:210.49 g/molCAS 号: 12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15 (500nm)~2蒸发条件:用电子枪,氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃,基片温度~250℃,蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜,干涉膜
白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和10.43g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。二氧化铪(HfO)
可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO),以解决目前MOSFET中传统SiO/Si结构的发展的尺寸极限问题。