稀有铪化合物 二氧化铪 HfO2 氧化铪 光学/真空镀膜材料

 
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话:0512-65086908
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公司类型:中外合资经营企业
经营模式:经销批发
加工定制:不提供
主营行业:冶金矿产,不锈钢材;冶
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公司商铺
 
详细介绍
牌号HfO2产地宝鸡
铪含量≥99.99杂质含量0.001
重量5  
1.我们是合金生产厂家,苏州最大的合金生产厂家。
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二氧化是一种化学物质,CAS号为12055-23-1,熔点为2850℃。

IUPAC 名称:dioxohafnium元素含量比重:O (oxygen) 15.2% 、Hf (hafnium) 84.8%二氧化铪 分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2850℃摩尔质量:210.49 g/molCAS 号: 12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15 (500nm)~2蒸发条件:用电子枪,氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃,基片温度~250℃,蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜,干涉膜
白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和10.43g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。二氧化铪(HfO)

可能替代目前基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO),以解决目前MOSFET中传统SiO/Si结构的发展的尺寸极限问题。

江苏川茂金属材料有限公司
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