BT131 SOT-223

 
BT131 SOT-223
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人:沈小慧
机: 13725573233
话:0755-27578368
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公司类型:中外合资经营企业
经营模式:经销批发
加工定制:提供
主营行业:电子元器件,可控硅(晶
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公司商铺
 
详细介绍
品牌其他型号BT131
控制方式双向极数三极
封装材料塑料封装封装外形平底形
关断速度高频(快速)散热功能带散热片
频率特性高频功率特性大功率
额定正向平均电流 控制极触发电流 
最大稳定工作电流 反向重复峰值电压 
品牌:SZGKT型号:BT131控制方式:双向
极数:四极封装材料:塑料封装封装外形:平底形
关断速度:普通散热功能:带散热片频率特性:高频
额定正向平均电流:1(A)控制极触发电流:1-5(mA)最大稳定工作电流:1(A)
反向重复峰值电压:800V(V)

QULCK REFERENCE DATA:

SYMBOL

PARAMETER

MAX

MAX

UNIT

131-

Repetitive peak off-state voltages

RMS on-state current

Non-repetitive peak on-state current

500

600

VDRM

IT(RMS)

ITSM

500

600

V

1

1

A

16

16

A

SYMBOL

PARAMETER

CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

IGT

Gate trigger current

VD=12V, IT=0.1A

T2+ G+

-

0.4

3

mA

T2+ G-

-

1.3

3

mA

T2- G-

-

1.4

3

mA

T2- G+

-

3.8

7

mA

VGT

Gate trigger current

VD=12V, IT=0.1A

-

0.7

1.5

V

VD=400V, IT=0.1A, Tj=125

0.2

0.3

-

V

dVD/dt

Critical rate of rise of off-state voltage

VD=67%VDRM (max) , Tj=125

exponential waveform, gate open circuit

5

15

-

V/us

tgt

Gate controlled turn-on time

ITM=1.5A, VD=VDRM (max),

IG=0.1A, dIG/dt=5A/us

-

2

-

us

深圳市高科特半导体有限公司
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